缺陷率降低97%!三星计划大幅修改HBM4E设计

快科技3月3日消息,据媒体报道, 三星计划在今年率先推出经过改进的供电传输架构,为年内实现HBM4E的量产做好准备。 这一设计涉及对内部供电网络进行分割与重新分配,相当于一次结构性的全面改造。 供电传输正逐渐成为新一代HBM的性能瓶颈,构建一个高效且布局合理的供电网络,已成为HBM技术发展中的关键挑战。 根据三星相关资料, 从HBM4升级至HBM4E后,供电凸点数量将从13682个增至14457个,这意味着需要在相同的空间内实现更密集、更精细的布线。 这一变化会导致电流密度和电阻上升,进而引发更明显的电压压降现象,即电压在传输过程中出现衰减。由此产生的热量会进一步推高电阻,加剧这一循环,最终可能导致性能下降甚至电路故障。 三星指出,目前的HBM设计存在结构上的短板,包括布线过于复杂以及电路布局高度集中。 为此,三星提出了供电网络分割方案,通过拆分供电模块、分层布局上层走线,构建更为直接高效的电路路径,尽可能减少从供电凸点到用电端之间不必要的迂回。 按照三星的说法, 新设计使HBM4E的金属电路缺陷率较HBM4降低了97%,同时电压压降改善了41%,从而支持更高的运行速度,也提升了芯片整体的可靠性。