삼성전자는 16~19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 개최되는 엔비디아 GTC 2026에 참가해 차세대 인공지능(AI) 반도체 시장을 겨냥한 기술력을 선보였다고 밝혔다. 이번 전시의 핵심은 5세대 고대역폭 메모리인 HBM4E 실물 칩과 엔비디아의 차세대 가속기 플랫폼인 베라 루빈(Vera Rubin)에 최적화된 통합 메모리 설루션이다.메모리·파운드리·패키징 역량 결집한 HBM4E 첫선삼성전자는 전시장 내 마련된 전용 공간을 통해 1c D램 공정과 자사 파운드리 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4E 칩을 처음으로 공개했다. 이 제품은 설계부터 생산, 패키징에 이르는 전 과정을 자체 수행하는 종합반도체기업(IDM)의 강점을 극대화한 결과물이다.HBM4E는 핀당 16Gbps의 전송 속도와 초당 4.0TB의 대역폭을 지원한다. 기존 방식 대비 열 저항을 20% 이상 낮춘 하이브리드 구리 본딩(HCB) 기술을 도입했다. 이 기술은 구리 배선을 직접 연결하는 방식으로, 칩을 16