Samsung, DRAM’de 10 nm sınırını aştı

Samsung, bellek teknolojilerinde uzun süredir kritik eşik olarak görülen 10 nm sınırının altına inen yeni DRAM süreciyle önemli bir aşamaya geçti. Şirketin 10a adı verilen yeni üretim teknolojisiyle dünyanın ilk tek haneli nanometre seviyesinde çalışan DRAM die örneğini ürettiği bildiriliyor.Yeni süreçte 4F kare hücre yapısı ve VCT yani Vertical Channel Transistor teknolojisi kullanılıyor. Bu iki […] Devamı: Samsung, DRAM’de 10 nm sınırını aştı Kaynak Technopat

Go to News Site