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三星攻10奈米以下 DRAM

南韓三星電子據傳已成功生產出功能正常的10奈米以下DRAM晶粒（die），在克服記憶體製造的微縮極限上，取得一大突破。韓媒The Elec引述知情人士報導，三星在對其3月採用10a製程製造的晶圓進行...